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已找到15件产品

  • 西人马 (Fatri ) CD03-01-DZ 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:表压
    工作压力量程:10 psi
    爆裂压力:30 psi
    工作温度:-55 to 125 C
    满量程输出:70 to 90 mV
    灵敏度:13.3±4 mV/psi
    Input Resistance:4 to 7 kohms
    Insulation Resistance (signal Line To Housing) :100 Mohms
    Mechanical Shock:20 g
    Null Voltage:零位电压
    Output Resistance:4 to 7 kohms
    Resonant Frequency:180 kHz
    Sinusoidal Vibration:100 g

  • 西人马 (Fatri ) CD03-02-DZ 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:表压
    工作压力量程:50 psi
    爆裂压力:150 psi
    工作温度:-55 to 85 C
    满量程输出:70 to 90 mV
    灵敏度:4.0±0.8 mV/psi
    Input Resistance:4 to 7 kohms
    Insulation Resistance (signal Line To Housing) :100 Mohms
    Mechanical Shock:20 g
    Null Voltage:-5 to 5 mV
    Output Resistance:4 to 7 kohms
    Resonant Frequency:320 kHz
    Sinusoidal Vibration:100 g

  • 西人马 (Fatri ) CD0307 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:绝压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 120 kPa
    过载压力:360 kPa
    精度:0.1 ±% FS
    工作温度:-40 to 85 C
    长期稳定性:±0.1
    桥臂电阻:0.6to2.5kΩ 典型值1.55kΩ
    满量程输出:100-160mV
    额定电压:10 VDC
    储存温度:-40℃~125℃
    供电电压:2.5 VDC-15 VDC
    温度补偿范围:25℃~85℃
    温度漂移:-0.24to-0.155FSS/oC典型值-0.21FSS/oC
    零点输出:-50to50mV 典型值0mV

  • 西人马 (Fatri ) CD0308 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:差压
    工作压力量程:0 to 5 Bars
    过载压力:7 Bars
    测量介质:气体
    非线性度:0.1 ±% Full Scale
    压力迟滞:0.1 ±% Full Scale
    重复性:0.5 ±% Full Scale
    工作温度:-40 to 85 C
    桥臂电阻:2.8to3.8kΩ 典型值3.3kΩ
    满量程输出:60-140mV
    长期稳定性:±0.1
    额定电压:5 VDC
    储存温度:-40℃~125℃
    供电电压:10 VDC max
    温度补偿范围:25℃~85℃
    温度漂移:-0.21to-0.17FSS/oC典型值-0.2FSS/oC
    零点输出:-50to50mV 典型值0mV

  • 西人马 (Fatri ) CD0309 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:差压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 5 Millibars
    过载压力:250 Millibars
    爆裂压力:500 Millibars
    精度:0.05 ±% FS
    工作温度:-40 to 85 C
    满量程输出:10-20 mV
    额定电压:12VDC
    储存温度:-40℃~125℃
    供电电压:16VDC max
    桥臂电阻:1.5kΩ
    温度补偿范围:0 to 50 C
    时漂:±80μV
    零点输出:-50to50mV 典型值0mV

  • 西人马 (Fatri ) CD0310 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:差压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 50 Millibars
    过载压力:750 Millibars
    爆裂压力:1200 Millibars
    精度:0.05 ±% FS
    工作温度:-40 to 85 C
    满量程输出:20-40 mV
    额定电压:12VDC
    桥臂电阻:1.5kΩ
    储存温度:-40℃~125℃
    供电电压:16VDC max
    温度补偿范围:0 to 70 C
    时漂:±100μV
    零点输出:-50to50mV 典型值0mV

  • 西人马 (Fatri ) CD0311 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:差压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 75 Millibars
    过载压力:1200 Millibars
    爆裂压力:2000 Millibars
    精度:0.05 ±% FS
    工作温度:-40 to 85 C
    桥臂电阻:1.5kΩ
    满量程输出:20-40 mV
    额定电压:12VDC
    储存温度:-40 to 125 C
    供电电压:16 VDC max
    温度补偿范围:0℃~70℃
    时漂:±100μV
    零点输出:-50to50mV 典型值0mV

  • 西人马 (Fatri ) CD0312 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:差压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 700 kPa
    过载压力:2800 kPa
    非线性度:0.05 ±% Full Scale
    压力迟滞:0.01 ±% Full Scale
    重复性:0.01 ±% Full Scale
    工作温度:-40 to 85 C
    长期稳定性:±0.1
    额定电流:1.5 mA
    满量程输出:75-125mV
    桥臂电阻:5
    响应时间:100μsec
    储存温度:-40 to 125 C
    供电电流:2 mA
    温度补偿范围:25 to 85 C
    零点输出:-50 to 50 mV

  • 西人马 (Fatri ) CD03-04-DZ 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:绝压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0-15 psi
    爆裂压力:45 psi
    精度:0.5 ±% FS
    工作温度:-40 to 260 C
    桥臂电阻:0.5~1.5 kΩ
    额定电压:10 VDC
    灵敏度:20±6 mV/psi
    最大电压:12 VDC

  • 西人马 (Fatri ) CD03-05-DZ 压力传感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:半导体压阻
    压力类型:绝压
    测量介质:气体
    工作压力量程:0 to 50 psi
    爆裂压力:150 psi
    精度:0.5 ±% FS
    工作温度:-40 to 260 C
    桥臂电阻:0.5~1.5 kΩ
    额定电压:10 VDC
    灵敏度:6±2 mV/psi
    最大电压:12 VDC

  • 启泰传感 QTB351 型溅射薄膜压力敏感芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:薄膜;溅射膜
    压力类型:表压;绝压
    测量介质:气体;液体
    工作压力量程:0.5 to 250 MPa
    过载压力:500 MPa
    爆裂压力:2500 MPa
    精度:0.03 ±% FS
    非线性度:0.1 ±% Full Scale
    压力迟滞:0.1 ±% Full Scale
    重复性:0.1 ±% Full Scale
    工作温度:-40 to 125 C

  • 启泰传感 QTB251 金属溅射薄膜压敏芯片

    产品类别:敏感芯片
    测量技术:薄膜; 溅射膜
    压力类型:表压;绝压
    测量介质:气体;液体
    工作压力量程:6 to 250 MPa
    过载压力:500 MPa
    爆裂压力:2500 MPa
    精度:0.2 ±% FS
    非线性度:0.1 ±% Full Scale
    压力迟滞:0.1 ±% Full Scale
    重复性:0.1 ±% Full Scale
    工作温度:-40 to 125 C

  • 松诺盟科技 CYB-S210 纳米薄膜压力传感万博manbetx官网体育首页芯体

    CYB-S210型纳米薄膜压力传感万博manbetx官网体育首页芯体是采用新型敏感材料技术、真空原子薄膜沉积等技术，将纳米薄膜应变电阻直接沉积在金属弹性体上，实现了敏感元件与弹性体的原子结合，解决了传统传感万博manbetx官网体育首页因敏感元件与弹性体之间受力滑动产生的零点漂移而导致的不稳定、不可靠的问题，真正实现了在高温、高压、恶劣环境下的长期稳定性和高可靠性。该产品是高性能压力传感万博manbetx官网体育首页和变送万博manbetx官网体育首页的理想精密测量元件。